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| Conductividad de una muestra semiconductora | s = n mn q + p mp q |
| q = carga del electrón
n, p = densidad de electrones y de huecos mn , mp = movilidades de electrones y huecos |
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| Semiconductor intrínseco | n = p = ni
densidad de electrones = densidad de huecos |
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resistividad
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r = 1 / s |
| Semiconductor con impurezas aceptadoras y donadoras | Neutralidad eléctrica:
n + NA- = p + ND+ NA (número de impurezas aceptadoras) ND (número de impurezas donadoras) |
| Ley de acción de masas | n p = ni2 |
| Nivel de dopado alto | ND - NA >> ni |
| Semiconductor tipo n | s @ q n mn
ND @ n p = ni2 / ND |
| Semiconductor tipo p | s @ q p mp
NA @ p n = ni2 / NA |
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| Corriente inversa de saturación (depende de las características del diodo) | Io = A q [ Dn npo / Ln
+ Dp pno / Lp]
donde A es la sección de la unión, q la carga del electrón. Dn y Dp son las constantes de difusión para electrones y huecos Ln = [Dn tn]1/2 |
| Corriente total del diodo | I = Io [exp (V / VT) - 1] |
| Lp es la distancia dentro del semiconductor a la que la concentración inyectable disminuye a 1/e de su valor máximo. | |
| tp y tn es la vida media de los portadores | |
| Potencial de contacto | Vo = [K T / q] ln [ NA ND / ni2 ] |
| Anchura de la zona de transición | l = [ (2 e / q) Vo ( 1 / NA
+ 1 / ND)]1/2
l = xn + xp |
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anchura de la zona tipo p de la región de transición
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xp = l ND / ( NA + ND) |
| xn = l NA / ( NA + ND) | |
| Campo eléctrico máximo | E (0) = - [ (2 q / e) Vo (NA ND) / (NA + ND)]1/2 |
| Vo = V (xn) - V (-xp) | |
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